周期結構中加入二極管等單向元件

需要建立一個帶有二極管的期結構，結構很簡單如下圖所示：

環外徑是15mm，結構為17mm*17mm，環寬1mm；加載二極管處缺口為2.45mm。
應用頻域仿真時，2013版會出現集總元件中只有串聯和并聯的RLC是有效的，不能加載二極管。在時域求解器中可以加二極管，現在的問題是：
1.使用時域求解器時設置成周期邊界，會出現一個網格屬性設置的問題，將Mesh type由默認改成FPBA錯誤會消失，仿真得出的結果感覺不太對，不知道是不是還有什么設置需要修改？
2.應該選擇什么樣的激勵？（我要設置的zmax和zmin端口極化不同，成45度夾角。）
3.環上的表面電流是不是還需要重新設置平面波激勵才能看？

看懂這篇 Application note 你就會理解，而且是真正的理解。
擁有資料不稀奇，能吸收才是重點!

不知道樓主說的是不是這個

資料沒看明白啊！

foxman:看懂這篇 Application note 你就會理解，而且是真正的理解。
有源結構
Faraday Rotation by Arti?cial Electric Gyrotropy.pdf
（文獻比較長，大家看模型和場分布就好了）
問題有兩個：
1）是文獻1中如何用CST仿真帶有FET的隔離器和環形器，特別是圖14，是不是需要用設計實驗室和微波實驗室聯合仿真；
2）文獻2中的有源結構能不能用CST仿真一個無限大的模型，該怎么做呢？

這個我試過了，在unit cell+f中不能加入二極管，非常感謝幫忙

資料是兩種仿真周期結構的方法，波導法和floquet端口法，論壇上也有相關的貼子可以去學習一下哈。感謝交流