模擬下述文獻仿真時遇到問題：半導體的耗盡層用什么介電模型來建模？有人說用真空，覺得不對，里面物質結構和真空不同啊。
是用什么軟件仿真的？
用CST仿真,有懂的不？ 希望給點建議啊。
原始文獻里用FDTD仿真，改用CST應該也可以的
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